Skip to: site menu | section menu | main content

Фролова
Тамара Николаевна

доцент,
кандидат физико-математических наук.

ауд.325-3
тел. раб. (4922) 47-99-79
E-mail: frolova@vlsu.ru

Работает во Владимирском государственном университете с 1975 года.
Окончила Владимирский политехнический институт по специальности «Конструирование и производство радиоаппаратуры».
После обучения в аспирантуре Ленинградского электротехнического института им. В.И Ульянова (Ленина) в 1980 году защитила кандидатскую диссертацию по специальности 01.04.10 – Физика полупроводников и диэлектриков.

Научные интересы:
Нестационарные процессы в конденсированных средах.

Читаемые курсы:
“Материаловедение и материалы электронных средств”.
“Физико-химические основы технологии электронных средств”.
“Технологические процессы микроэлектроники”.
“Оптические системы электронно-вычислительных средств”.
“Конструкторско-технологическое обеспечение производства электронно-вычислительных машин”.

Основные публикации:
  1. Устюжанинов В.Н., Фролова Т.Н., Бутин В.И. Переходные процессы в обратносмещенных силовых MOSFET при воздействии импульса ионизирующих излучений/ Вопросы атомной науки и техники. Серия «Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру». Научно-технический сборник, вып. 1-2. – М.: СНИП Атоминформ, 2006, с. 81-84.

  2. Устюжанинов В.Н., Фролова Т.Н. Математические модели переходных процессов в силовых полупроводниковых диодах/ Проектирование и технология электронных средств. - Владимир: Посад, 2004, № 4, с. 34-38.

  3. Фролова Т.Н. Условия адекватности имитационных испытаний стойкости полупроводниковых устройств к действию импульсных квантовых излучений/ Проектирование и технология электронных средств. - Владимир: Посад, 2002, № 3, с. 13-16.

  4. Устюжанинов В.Н., Фролова Т.Н. Проектирование фоторезисторов высокого быстродействия/Проектирование и технология электронных средств. - Владимир: Посад, 2001, № 1, с. 26-29.

  5. Устюжанинов В.Н., Фролова Т.Н., Якунина М.В. Релаксационные процессы в p-n переходах при гамма - импульсном облучении/Известия вузов. Электроника, 1999, № 6, с. 17-23